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소니의 새로운 CMOS 제조 기술 (back-illuminated CMOS image sensor)

별자리물고기 | 06-11 20:11 | 조회수 : 765 | 추천 : 15



제일 윗 그림 왼쪽이 기존의 센서입니다. 회로 부분이 포토다이오드(빛 수신체)를 가려서
온전한 빛을 받지 못합니다.

오른쪽 그림은 새로운 제조 기술입니다. 회로가 포토다이오드 아래로 내려가고, 거기에
마이크로렌즈의 성능 향상이 더해져서 포토다이오드가 받을 수 있는 빛의 양이 더 많아진다는
것이 이 그림의 설명입니다.

이렇게 되면 동일 조리개, 동일 셔터 스피드에서의 사진의 밝기 차이가 아래의 두 그림처럼
차이가 납니다. 쉽게 말해서 좀 더 고감도 촬영이 가능해진다는 것이지요.

고감도 촬영이 가능해진다는 것은 또한, 고감도 노이즈가 적어진다는 것을 의미합니다.
전반적으로 화질 향상을 꾀할 수 있다는 것을 의미합니다.

단, 이 제조 기술은 500만 화소 센서에서 "테스트" 된 것이므로 최근의 1,000만 화소 이상을
보유한 카메라들에 당장 도입되지는 않을 것이라고 생각됩니다. ^^

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