풀픽셀리드아웃을 하게 되면 열이 엄청나게 발생합니다.

발열을 잡기 위한 유일한 방법은 최신 반도체 공정을 사용해 사이즈를 줄이는 것, 딱 한가지 뿐이죠.

이건 삼성을 보면 알 수 있습니다.

삼성은 NX1을 개발하면서 센서는 상당히 구공정인 65nm 공정을 사용해 제작했습니다.

반면 프로세서는 최신공정인 28nm 공정을 사용했죠.

NX1 개발당시 가장 최신공정이 20nm였는데, 그나마 이것도 14nm 공정 직행을 위해 라인을 작게 잡았기 때문에 스마트폰용 AP 생산에도 벅찬 수준이었습니다.

따라서 삼성은 NX1용 프로세서를 제작하기 위해 자신들이 사용할 수 있는 가장 최신공정을 이용한 겁니다.

참고로 삼성 공정은 65 -> 45 -> 32 -> 28 -> 20 -> 14 -> 10(현재 개발중)순입니다.

센서보다 프로세서쪽이 2~3단계 위(32와 28은 기본 베이스가 같은 공정.)를 사용한 건 그만큼 고 퍼포먼스가 필요했기 때문이라고 인터뷰에서도 밝혔죠.

문제는 이건데, 파나소닉은 이런 고성능 프로세서를 제작할 반도체 라인이 없다는 겁니다.

그리고 제가 알기로는 일본 회사 중에서도 비메모리 반도체 라인 중에서 삼성과 같은 28nm 공정을 보유한 회사가 없는 걸로 압니다.

따라서 설계를 해도 제조할 수 없는 문제가 발생합니다.

유일한 해결책은 이 공정을 보유한 외국 파운드리 쪽에 맡기는 것이죠.

실제 이를 위해 파나소닉은 작년 7월에 AV용 SoC를 생산하기 위해 인텔 14nm 파운드리 공정을 사용하기로 계약을 체결한 상태고요.

단, 설계와 생산에 시간이 걸리기 때문에 이 공정으로 비너스 프로세서가 개발된다고 하더라도 올 연말이나 내년 정도에나 결과물이 나오겠지만요.(삼성도 NX1 개발에 2년 이상 걸렸다고 하죠.)

다만 인텔 파운드리가 싸지 않은데다, 풀픽셀 리드아웃을 하려면 집적도가 높아야 하니 가격은 상당할 겁니다.

삼성도 NX1과 NX500의 프로세서 가격차가 꽤 난다고 하니까요.