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삼성전자가 개발한 '64GB 적층 TSV D램'이 2015년 제25주차 IR52 장영실상을 수상했다. 정보의 양이 기하급수적으로 증가하면서 빅데이터에 대한 접근 및 수집, 처리를 위해서는 고성능 서버가 요구되고 있다. 이를 위해서 반도체의 크기는 작으면서도 저장용량은 커져야만 한다. 삼성전자는 이미 2013년 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 '3차원 수직구조' 메모리를 개발해 양산을 시작했다. 작은 반도체를 수평으로 잇던 기존 기술의 발상을 뛰어넘어 수직으로 반도체를 쌓아 올리며 기술의 한계를 극복한 것이다. 단독주택을 여러 채 짓는 대신 아파트를 건설해 작은 주거공간을 획기적으로 넓힌 것과 같다.

삼성전자가 개발한 TSV 기술은 기존에 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩의 상단과 하단을 전극으로 연결하는 기술이다. 기존 기술에 비해 속도는 높아지고 소비전력은 25% 수준으로 낮췄다. 삼성전자는 "TSV를 기반으로 한 64GB 적층 TSV D램 모듈 양산은 세계적으로도 처음"이라고 설명했다. 양산을 시작한 제품은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 모듈로 3D TSV 기술로 4Gb D램을 4단으로 쌓은 칩 36개가 탑재됐다. 이정준 삼성전자 수석연구원은 "100% 독자 기술로 개발했다"며 "3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 더욱 고용량의 차세대 라인업을 한발 앞서 출시할 수 있는 원천 기술을 확보했다"고 말했다. 삼성전자는 3D TSV 기술 관련 해외특허 출원 268건, 등록 48건 등 6년간의 기반 기술 개발과 4년간의 양산체제 구축으로 업계 유일하게 양산에 성공함으로써 독보적인 사업 역량을 구축하고 있다. 삼성전자는 64GB 적층 TSV D램 개발과 양산으로 2018년 1조원 이상의 매출을 기대하고 있다.