삼성, WIDE IO 모바일 D램 개발

2011-02-25 09:20

삼성전자는 가 기존 모바일 D램 보다 8배 빠른 차세대 WIDE IO 모바일 D램을 개발했다고 밝혔다. 이번에 개발한 제품은 50나노급(나노:10억분의 1) 공정을 적용한 1Gb(기가비트, Giga bit) WIDE IO 모바일 D램으로 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s(Giga Byte per Second)보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 가지고 있으며, 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도라고 한다. 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘여, 초당 데이터 전송속도를 획기적으로 증가시켰고 소비전력도 87%를 절감할 수 있다고 전했다.

이에 삼성전자는 WIDE IO 모바일 D램을 개발함으로써 스마트폰 및 태블릿 고객에게 더욱 차별화된 친환경 모바일 솔루션을 제공할 수 있게 되었으며 WIDE IO 모바일 D램 기술을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화해 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이라고 밝혔다.

접기 덧글 1 접기
SNS 로그인

이전글 다음글 목록

이전이전1 2 3 4 5 다음 다음

맨위로