소니, 2층 트랜지스터 화소 적층형 CMOS 개발

2021-12-16 14:08

소니가 포토다이오드와 화소 트랜지스터를 적층하여 다이나믹 레인지와 고감도 성능을 크게 개선한 세계 최초의 '2층 트랜지스터 화소 적층형 CMOS 센서' 기술 개발을 발표했다.

기존의 동일 기판에 형성했던 포토 다이오드와 화소 트랜지스터 층을, 별도의 기판으로 형성하여 적층 함으로서 기존 대비 약 2배의 포화 신호량을 확보하였으며 다이나믹 레인지 확대와 노이즈 저감을 실현했다고 한다.




본 기술이 채용된 화소 구조는 기존 화소 사이즈에 더해 추가 미세 화소에 있어서도 화소 특성 유지·향상을 가능하게 한다.

또한 다이나믹 레인지 확대와 노이즈 저감을 실현하여 역광 등의 명암차가 큰 장면에서도 화이트 홀 등을 방지하고 실내 및 야경 등의 어두운 장면에서도 노이즈가 적은 고화질 촬영이 가능해진다.

최근, 소니의 CMOS 센서는 속도면에서는 크게 향상했으나 다이나믹 레인지 및 고감도 성능에 대해서는 정체라는 평가가 지배적이었는데 앞으로는 좀 더 향상된 화질을 기대할 수 있다.

접기 덧글 3 접기
SNS 로그인

이전글 다음글 목록

이전이전 2 3 4 5 6 다음 다음

맨위로