이중 가장 큰효과를 보이는건 구리배선이구요. BSI는 어짜피 줄어드는 픽셀피치때문에 조금이라도 광량을 더 확보하기 위한 기술이라 똑딱이 센서에서 먼저 쓰던게 BSI입니다. 좁은 픽셀피치를 조금이라도 영향을 덜받게 하기 위함이지요. 그리고 DRAM적층은 버퍼를 하나 넣어놓고 좀더 빠른 리드아웃 스피드를 내기 위함입니다.
글로벌셔터가 적용되면 딱히 의미없는 기술이기도 합니다.
구리배선을 가장 먼저 적용한건 삼성입니다. 그리고, 삼성의 자랑 ISOCELL... 이 역시도 BSI기반에서 컬러필터 아래부터 포토다이오드까지 빛이 지나갈때 격벽(ISOLATION)을 세워 빛의 분산을 줄여줘 조금이라도 더 전하를 많이 받기 위한 기술입니다.
현재까지의 이미지센서기술은 포토다이오드를 기반으로 하고 있습니다. 이 포토다이오드를 기반으로 컬러필터 개선하고 빛이 통과하는 통로의 거리를 좁히려 BSI도입하고, 여기에 통과하는 동안 로스가 생기지 않도록 격벽을 세우고 하는 기술들이 사용되었습니다. 그리고, 저장된 전하를 전달하는 배선을 구리배선으로 바꿔서 S/N비를 높였지요.
하지만, 아직까지 포토다이오드가 바뀐적은 없습니다.
파나소닉과 후지의 합작인 유기센서가 그래서 주목을 받고 있는거지요.
유기센서는 기본적으로 BSI공정에 격벽이 들어가며, 포토다이오드를 유기층이 대신합니다. 이 두께가 워낙 얇다보니 뒷면에 글로벌셔터를 사용할 회로부를 넣을 수 있습니다. 거기에 유기센서층이 DR이 어마어마 하지요.
하지만 뭐 아직 상용화가 되지 못했고 연구기간이 더 필요하다니 당분간은 포토다이오드 센서로 계속 유지될 예정입니다.
이중 가장 큰효과를 보이는건 구리배선이구요. BSI는 어짜피 줄어드는 픽셀피치때문에 조금이라도 광량을 더 확보하기 위한 기술이라 똑딱이 센서에서 먼저 쓰던게 BSI입니다. 좁은 픽셀피치를 조금이라도 영향을 덜받게 하기 위함이지요. 그리고 DRAM적층은 버퍼를 하나 넣어놓고 좀더 빠른 리드아웃 스피드를 내기 위함입니다.
글로벌셔터가 적용되면 딱히 의미없는 기술이기도 합니다.
구리배선을 가장 먼저 적용한건 삼성입니다. 그리고, 삼성의 자랑 ISOCELL... 이 역시도 BSI기반에서 컬러필터 아래부터 포토다이오드까지 빛이 지나갈때 격벽(ISOLATION)을 세워 빛의 분산을 줄여줘 조금이라도 더 전하를 많이 받기 위한 기술입니다.
현재까지의 이미지센서기술은 포토다이오드를 기반으로 하고 있습니다. 이 포토다이오드를 기반으로 컬러필터 개선하고 빛이 통과하는 통로의 거리를 좁히려 BSI도입하고, 여기에 통과하는 동안 로스가 생기지 않도록 격벽을 세우고 하는 기술들이 사용되었습니다. 그리고, 저장된 전하를 전달하는 배선을 구리배선으로 바꿔서 S/N비를 높였지요.
하지만, 아직까지 포토다이오드가 바뀐적은 없습니다.
파나소닉과 후지의 합작인 유기센서가 그래서 주목을 받고 있는거지요.
유기센서는 기본적으로 BSI공정에 격벽이 들어가며, 포토다이오드를 유기층이 대신합니다. 이 두께가 워낙 얇다보니 뒷면에 글로벌셔터를 사용할 회로부를 넣을 수 있습니다. 거기에 유기센서층이 DR이 어마어마 하지요.
하지만 뭐 아직 상용화가 되지 못했고 연구기간이 더 필요하다니 당분간은 포토다이오드 센서로 계속 유지될 예정입니다.